AMOLED顯示屏在使用過程中有可能出現亮度不均勻的情況（mura現象），通過內置Demura SRAM（靜態隨機存取存儲器）+內置OTP（一次性可編程存儲器）+外置flash閃存的架構設計，將Demura補償數據由內向外傳輸燒錄，以解決AMOLED面板的mura現象。但是這種傳統方案存在數據寫入速度慢，產線效率低，生產成本高等劣勢。
RRAM（Resistive Random Access Memory，阻變存儲器）通過技術升級，有效的解決了上述問題。RRAM替代了芯片內部的Demura SRAM和OTP，也無需再外置閃存，做到了“三位一體”的功能。采用RRAM技術不但可以將原來SRAM的面積縮小了40%，有效降低芯片成本，還可提升數據存儲容量，增加Demura補償精細度，從而實現優化面板視效，提升模組良率，降低模組成本。
除此之外，該技術減少了Demura補償算法數據在各存儲器之間的傳輸步驟，直接“原地”讀取，省去了Demura數據從DDIC搬運到flash的時間，縮短了近50%燒錄（Demura數據錄入芯片）時間，提高了芯片生產的效率。
結合RRAM存儲技術，“集憶智顯”R100相對于傳統方案做出了全面升級。芯片支持最高 1320×2900 分辨率的 OLED 面板驅動，集成 LTPO3.0 動態變頻技術，可實現 1-144Hz 無縫幀率切換，在保障流暢視覺體驗的同時精準控制功耗。
在顯示畫質優化方面，R100集成了 Demura 補償、Deburin、R/N等專業算法，配合 13bit dbv 高精度亮度調節，實現從細膩灰階到高亮場景的全維度畫質提升。針對折疊屏設備的特殊需求，芯片支持級聯驅動方案，完美適配旗艦手機及折疊屏機型的復雜顯示架構，以低功耗高性能的技術特性，全面滿足高端終端對顯示驅動的嚴苛要求。
此次融合RRAM存儲技術的AMOLED顯示驅動芯片成功開發驗證，標志著集創北方在AMOLED顯示領域取得了進一步的突破，這也是產業鏈上下游協同創新與智慧碰撞的結晶。未來，相信通過RRAM存儲技術與集創北方全顯示控制產品的深度融合，將能在更多顯示領域攻堅克難，研發創造出優質的產品。
